À propos de nous

Mémoire à semi-conducteurs par Toshiba

Depuis la création des technologies de mémoire flash NAND et NOR dans les années 80, Toshiba fait figure de chef de file dans le domaine du développement de solutions de mémoire non volatile. Aujourd'hui, Toshiba propose l'une des gammes de solutions de stockage basées sur les technologies de mémoire flash NAND MLC et SLC les plus vastes du marché.

Innovantes et fiables, les technologies de mémoire flash de Toshiba sont présentes partout (grand public, mobile, industriel, OEM etc.). Smartphones, lecteurs MP3, systèmes de navigation par satellite, appareils photo numériques magnétoscopes numériques... Les produits auxquels ils sont intégrés sont légion. Toshiba propose également une large gamme de périphériques de stockage de contenus multimédia numériques, notamment des cartes mémoire SDHCTM, SDXCTM et microSDTM , les cartes mémoire sans fil FlashAirTM et des clés flash USB qui peuvent satisfaire les exigences de stockage toujours plus élevées des appareils électroniques.

Dans sa volonté de proposer des périphériques mémoire de qualité optimale, Toshiba contrôle l'ensemble du processus de production, des plaquettes aux périphériques mémoire.

Technologie flash NAND de Toshiba - Dates clés

Depuis près de 130 ans, Toshiba se démarque par ses innovations et ses nombreuses contributions sur le plan technologique et social.

1984
Toshiba développe un nouveau type de mémoire à semi-conducteurs appelé « mémoire flash ».

1987
Toshiba crée la mémoire flash NAND. La première technologie de mémoire flash NAND est présentée par Toshiba lors du salon IEDM (IEEE International Electron Devices Meeting).

1991
Toshiba développe la première mémoire EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read-only Memory) de 4 Mbits au monde.

1995
Lancement de cartes de mémoire flash de 40 Mo.

1999
Matsushita, SanDisk et Toshiba lancent des cartes mémoire SD.

2001
Lancement de la première puce de mémoire flash NAND MLC 1 Gbit commerciale.

2005
Le chiffre d'affaire mondial généré par la technologie NAND atteint 10 milliards de dollars et dépasse celui généré par la mémoire DRAM.

2006
Lancement des cartes mémoire microSD™ et SDHC™

2007
Lancement d'un disque dur électronique SATA MLC de 128 Go.

2009
La puce 3 bits par cellule de 32 Gbits de Toshiba est la plus petite de toute l'industrie.

2009
Toshiba lance la première carte SDXC™ de 64 Go.

2010
Lancement des modules de mémoire flash NAND intégrés offrant la capacité la plus élevée. Une pile de 16 puces NAND de 64 Gbits est utilisée dans le module e-MMC de 128 Go de Toshiba.

2010
Toshiba annonce le lancement de cartes UHS-I SDHC™ de 7, 16 et 32 Go conformes à la norme SD Memory Card Standard version 3.0 (SD 3.0), UHS104. Ces nouvelles cartes SD offrent les vitesses de lecture et d'écriture SDHC™ les plus élevées au monde (à la date de leur lancement). (9/10)

2010
Toshiba développe un module de mémoire flash NAND intégré e-MMC de 128 Go (soit la capacité la plus élevée de toute l'industrie au moment de son lancement) prenant en charge les technologies NAND SLC et MLC pour smartphones et périphériques CE. (6/10)

2011
Toshiba lance la mémoire flash AND en 19 nm - le processus le plus précis au monde permettant de produire des puces d'une capacité de 64 Go.

2012
Toshiba développe et fabrique de la mémoire flash NAND en 19 nm d'une densité inégalée dans un format ultra-compact - capacité de 128 Go dans une puce 3 bits par cellule de 170 mm2.

2012
Lancement des cartes EXCERIA™ SDXC™ et SDHC™ aux performances inégalées.

2012/2013
Toshiba lance la technologie révolutionnaire TransferJet™ et des accessoires permettant de transférer rapidement des fichiers volumineux entre des périphériques électroniques en les mettant tout simplement en contact. Un fichier de 100 Mo peut être transféré ou diffusé en moins de 2 secondes.