Nasza firma

Pamięć trwała firmy Toshiba

Toshiba przoduje w opracowywaniu rozwiązań pamięci nieulotnej od wprowadzenia technologii pamięci flash typu NAND i typu NOR w latach 80. XX wieku. Obecnie firma Toshiba oferuje najszerszą gamę rozwiązań pamięci masowej opartych na MLC i SLC NAND.

Innowacyjność i niezawodność firmy Toshiba w dziedzinie technologii pamięci flash są widoczne w każdym obszarze rynku - od konsumentów, zastosowań mobilnych i przemysłowych po OEM i inne. Produkty są wykorzystywane w smartfonach, odtwarzaczach MP3, systemach nawigacji satelitarnej, cyfrowych aparatach fotograficznych i kamerach cyfrowych. Firma Toshiba produkuje również szeroki asortyment cyfrowych urządzeń pamięci masowej, takich jak SDHCTM, SDXCTM, microSDTM, i bezprzewodowe karty pamięci FlashAirTM oraz pamięci flash USB, aby spełnić rosnące potrzeby urządzeń elektronicznych.

Firma Toshiba dąży do zapewnienia najwyższej jakości pamięci przez nadzór i kontrolę całego procesu produkcyjnego, od surowych ‘wafli’ krzemowych po opakowane urządzenia pamięci.

Kamienie milowe pamięci flash typu NAND firmy Toshiba

W ciągu niemal 130 lat działalności, firma Toshiba dokonała wielu przełomowych odkryć i wniosła cenny wkład w rozwój technologiczny i społeczny.

1984
Firma Toshiba opracowała nowy typ pamięci półprzewodnikowej czyli “Pamięć Flash”

1987
Pamięć flash typu NAND wprowadzona przez firmę Toshiba. Pierwsza pamięć flash typu NAND zaprezentowana przez firmę Toshiba podczas IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).

1991
Firma Toshiba opracowała pierwszą 4-megabitową (Mb) pamięć EEPROM typu NAND.

1995
Wprowadzenie karty pamięci flash o pojemności 40 MB.

1999
Karta pamięci SD wprowadzona przez firmy Matsushita, SanDisk i Toshiba.

2001
Wprowadzenie pierwszego komercyjnego układu flash 1 Gb MLC NAND.

2005
Światowe przychody ze sprzedaży pamięci typu NAND osiągnęły 10 mld USD i przekroczyły dostawy pamięci DRAM GB.

2006
Wprowadzenie kart pamięci microSD™ i SDHC™

2007
Wprowadzenie dysku półprzewodnikowego 128 GB MLC SATA Solid State Drive (SSD).

2009
Pamięć 32 Gb umożliwiająca zapis 3 bitów w komórce potwierdza najmniejszy rozmiar matrycy na rynku.

2009
Firma Toshiba wprowadza pierwszą kartę SDXC™ 64 GB.

2010
Wprowadzenie najbardziej pojemnych w branży modułów wbudowanej pamięci flash typu NAND. Warstwa szesnastu układów pamięci typu NAND 64 Gb zastosowana w module e-MMC 128 GB firmy Toshiba.

2010
Firma Toshiba zapowiedziała wprowadzenie kart SDHC™ UHS-I 8 GB, 16 GB1 i 32 GB zgodnych ze standardem kart pamięci SD wersja 3.0 (SD 3.0), UHS104. Nowe karty SD oferowały największe szybkości odczytu i zapisu SDHC™ w momencie wprowadzenia. (9/10)

2010
Firma Toshiba opracowała moduł pamięci flash e-MMC 128 GB typu NAND o największej pojemności na rynku (w momencie wprowadzenia) z obsługą SLC i MLC NAND dla smartfonów i urządzeń CE. (6/10)

2011
Firma Toshiba wprowadza pamięć flash typu NAND w procesie technologicznym 19 nm - ten proces pozwala na uzyskanie układów pamięci 64 Gb.

2012
Firma Toshiba opracowuje i wprowadza pamięć flash typu NAND w procesie technologicznym 19 nm o największej gęstości i najmniejszym rozmiarze matrycy - pojemność 128 Gb w układzie umożliwiającym zapis 3 bitów w komórce na matrycy 170 mm2.

2012
Wprowadzenie kart EXCERIA™ SDXC™ i SDHC™ oferujących najwyższe osiągi na rynku.

2012/2013
Firma Toshiba wprowadza przełomową technologię TransferJet™ LSI oraz akcesoria umożliwiające szybkie przesyłanie dużych plików pomiędzy urządzeniami elektronicznymi za pomocą dotyku. Plik 100 MB można przesłać lub udostępnić w 2 sekundy.